Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APTGT50A1202G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3110099

APTGT50A1202G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTGT50A1202G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOD IGBT 1200V 75A SP2
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APTGT50A1202G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Pakkuja seadme pakett
    SP2
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    277W
  • Pakett / kott
    SP2
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    3.6nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP2
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    50µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    75A
  • Konfiguratsioon
    Half Bridge

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTGT50A1202G" seotud tooted.
APTGT400U170D4G

APTGT400U170D4G

Kirjeldus: IGBT 1700V 800A 2080W D4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT400SK120D3G

APTGT400SK120D3G

Kirjeldus: IGBT 1200V 580A 2100W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT450SK60G

APTGT450SK60G

Kirjeldus: IGBT 600V 550A 1750W SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50A170D1G

APTGT50A170D1G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT400SK120G

APTGT400SK120G

Kirjeldus: IGBT 1200V 560A 1785W SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50A170T1G

APTGT50A170T1G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT450DU60G

APTGT450DU60G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50A170TG

APTGT50A170TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT450A60G

APTGT450A60G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT400TL65G

APTGT400TL65G

Kirjeldus: IGBT 650V SP6C

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT400SK60D3G

APTGT400SK60D3G

Kirjeldus: IGBT 600V 500A 1250W D3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT450DA60G

APTGT450DA60G

Kirjeldus: IGBT 600V 550A 1750W SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT400U120D4G

APTGT400U120D4G

Kirjeldus: IGBT 1200V 600A 2250W D4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50A60T1G

APTGT50A60T1G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DA120D1G

APTGT50DA120D1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 270W D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DA170D1G

APTGT50DA170D1G

Kirjeldus: IGBT 1700V 70A 310W D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50A120T1G

APTGT50A120T1G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50A120TG

APTGT50A120TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50A120D1G

APTGT50A120D1G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DA120TG

APTGT50DA120TG

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 277W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.