Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APTGT50H120T3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2405048APTGT50H120T3G piltMicrosemi

APTGT50H120T3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$54.61
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTGT50H120T3G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APTGT50H120T3G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Pakkuja seadme pakett
    SP3
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    270W
  • Pakett / kott
    SP3
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    Yes
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    3.6nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    250µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    75A
  • Konfiguratsioon
    Full Bridge Inverter

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTGT50H120T3G" seotud tooted.
APTGT50DH120T3G

APTGT50DH120T3G

Kirjeldus: MOD IGBT 1200V 75A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DH60TG

APTGT50DH60TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DSK120T3G

APTGT50DSK120T3G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50SK120TG

APTGT50SK120TG

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 277W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DU170TG

APTGT50DU170TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DU120TG

APTGT50DU120TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DSK60T3G

APTGT50DSK60T3G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50H120TG

APTGT50H120TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50H60T2G

APTGT50H60T2G

Kirjeldus: MOD IGBT 600V 80A SP2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50SK170T1G

APTGT50SK170T1G

Kirjeldus: IGBT 1700V 75A 312W SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50H60T1G

APTGT50H60T1G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DH170TG

APTGT50DH170TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DH60T1G

APTGT50DH60T1G

Kirjeldus: MOD IGBT 600V 80A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50H170TG

APTGT50H170TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DH120TG

APTGT50DH120TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50H60T3G

APTGT50H60T3G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50H60RT3G

APTGT50H60RT3G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50SK120D1G

APTGT50SK120D1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 270W D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50DDA60T3G

APTGT50DDA60T3G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT50SK170D1G

APTGT50SK170D1G

Kirjeldus: IGBT 1700V 70A 310W D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.