Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APTGT75DH60T1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3423913

APTGT75DH60T1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTGT75DH60T1G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOD IGBT 600V 100A SP1
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APTGT75DH60T1G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 75A
  • Pakkuja seadme pakett
    SP1
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    250W
  • Pakett / kott
    SP1
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC termistor
    Yes
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    4.62nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    250µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100A
  • Konfiguratsioon
    Asymmetrical Bridge

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTGT75DH60T1G" seotud tooted.
APTGT75DA120D1G

APTGT75DA120D1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 110A 357W D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75SK120TG

APTGT75SK120TG

Kirjeldus: IGBT 1200V 110A 357W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DSK60T3G

APTGT75DSK60T3G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DH60TG

APTGT75DH60TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DH120TG

APTGT75DH120TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DA170T1G

APTGT75DA170T1G

Kirjeldus: IGBT 1700V 130A 465W SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75H60T3G

APTGT75H60T3G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DA120T1G

APTGT75DA120T1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 110A 357W SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75SK120T1G

APTGT75SK120T1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 110A 357W SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DA170D1G

APTGT75DA170D1G

Kirjeldus: IGBT 1700V 120A 520W D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DU120TG

APTGT75DU120TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75H60T2G

APTGT75H60T2G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75SK120D1G

APTGT75SK120D1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 110A 357W D1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75H60T1G

APTGT75H60T1G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DA120TG

APTGT75DA120TG

Kirjeldus: IGBT 1200V 110A 357W SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DA60T1G

APTGT75DA60T1G

Kirjeldus: POWER MOD IGBT 600V 100A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75A60T1G

APTGT75A60T1G

Kirjeldus: IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75H120TG

APTGT75H120TG

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DH120T3G

APTGT75DH120T3G

Kirjeldus: MOD IGBT 1200V 110A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTGT75DDA60T3G

APTGT75DDA60T3G

Kirjeldus: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.