Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APTM100DA18CT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3951955

APTM100DA18CT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTM100DA18CT1G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SP1
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    216 mOhm @ 33A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    657W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SP1
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    14800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    570nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTM100DA18CT1G" seotud tooted.
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A12STG

APTM100A12STG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A13DG

APTM100A13DG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A13SG

APTM100A13SG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.