Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APTM100SK33T1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3285093

APTM100SK33T1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$30.25
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTM100SK33T1G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APTM100SK33T1G.pdf
    2.APTM100SK33T1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SP1
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    396 mOhm @ 18A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    390W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SP1
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7868pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTM100SK33T1G" seotud tooted.
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100UM65DAG

APTM100UM65DAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100SKM90G

APTM100SKM90G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100SK18TG

APTM100SK18TG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.