Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APTM120DA30T1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2660386

APTM120DA30T1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$39.428
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APTM120DA30T1G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APTM120DA30T1G.pdf
    2.APTM120DA30T1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SP1
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    657W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SP1
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    14560pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APTM120DA30T1G" seotud tooted.
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120A15FG

APTM120A15FG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120A20DG

APTM120A20DG

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.