Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5551
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6383358JAN1N5551 piltMicrosemi

JAN1N5551

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$12.57
10+
$11.311
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5551
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.2V @ 9A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    2µs
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    B, Axial
  • Muud nimed
    1086-2097
    1086-2097-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 3A Through Hole
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5554

JAN1N5554

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5550

JAN1N5550

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5545DUR-1

JAN1N5545DUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5556

JAN1N5556

Kirjeldus: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5558

JAN1N5558

Kirjeldus: TVS DIODE 175V 265V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5553

JAN1N5553

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5545D-1

JAN1N5545D-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5552

JAN1N5552

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5555

JAN1N5555

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi