Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5621
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6151836

JAN1N5621

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
139+
$7.326
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5621
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    A, Axial
  • Muud nimed
    1086-2112
    1086-2112-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    300ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Tootja Partii number
    JAN1N5621
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • Dioodide seadistamine
    500nA @ 800V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.6V @ 3A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    800V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N5616

JAN1N5616

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5619

JAN1N5619

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Kirjeldus: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Kirjeldus: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5620

JAN1N5620

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5617

JAN1N5617

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5618

JAN1N5618

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5622

JAN1N5622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5623

JAN1N5623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Kirjeldus: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi