Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5711-1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2664893JAN1N5711-1 piltMicrosemi

JAN1N5711-1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$11.69
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5711-1
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N5711-1.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 15mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    70V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-35
  • Kiirus
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/444
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Muud nimed
    1086-15223
    1086-15223-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    11 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Schottky
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Schottky 70V 33mA Through Hole DO-35
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    200nA @ 70V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    33mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N5711-1" seotud tooted.
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Kirjeldus: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Kirjeldus: TVS DIODE 111V 179V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Kirjeldus: TVS DIODE 53V 85V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Kirjeldus: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Kirjeldus: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Kirjeldus: TVS DIODE 10CFLATPACK

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Kirjeldus: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Kirjeldus: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Kirjeldus: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Kirjeldus: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Kirjeldus: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.