Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5806US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5895564JAN1N5806US piltMicrosemi

JAN1N5806US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$11.669
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5806US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N5806US.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    975mV @ 2.5A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    150V
  • Pakkuja seadme pakett
    D-5A
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    25ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, A
  • Muud nimed
    1086-2122
    1086-2122-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 150V 2.5A Surface Mount D-5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 150V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    2.5A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N5806US" seotud tooted.
JAN1N5807

JAN1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Kirjeldus: TVS DIODE 10CFLATPACK

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.