JAN1N5819UR-1/TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

100+

$12.043

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

JAN1N5819UR-1/TR
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

JAN1N5819UR-1/TR.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

490mV @ 1A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

45V
Pakkuja seadme pakett

DO-213AB (MELF, LL41)
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

Military, MIL-PRF-19500/586
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

DO-213AB, MELF (Glass)
Töötemperatuur - ühenduskoht

-65°C ~ 125°C
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Diode tüüp

Schottky
Täpsem kirjeldus

Diode Schottky 45V 1A Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)
Praegune - tagasikäik @ Vr

50µA @ 45V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

1A
Mahtuvus @ Vr, F

70pF @ 5V, 1MHz

Järgnev on "JAN1N5819UR-1/TR" seotud tooted.

JAN1N5968

Kirjeldus: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N6051A

Kirjeldus: TVS DIODE 28V 45.7V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5811US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N6039A

Kirjeldus: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N6036A

Kirjeldus: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5819-1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5819UR-1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N6047A

Kirjeldus: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N6044A

Kirjeldus: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5811URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N6045A

Kirjeldus: TVS DIODE 15V 25.2V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N6043A

Kirjeldus: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5809URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5816

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation

Laos

RFQ

JAN1N5907

Kirjeldus: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5814

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation

Laos

RFQ

JAN1N5822

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

JAN1N5811

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

JAN1N5819UR-1/TR

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

JAN1N5968

JAN1N6051A

JAN1N5811US

JAN1N6039A

JAN1N6036A

JAN1N5819-1

JAN1N5819UR-1

JAN1N6047A

JAN1N6044A

JAN1N5811URS

JAN1N5809

JAN1N6045A

JAN1N5809US

JAN1N6043A

JAN1N5809URS

JAN1N5816

JAN1N5907

JAN1N5814

JAN1N5822

JAN1N5811

Vali keel

Praegune keel