Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N6073
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
895133

JAN1N6073

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$17.279
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6073
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N6073.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    850mA
  • Pinge - jaotus
    A-PAK
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/503
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    A, Axial
  • Muud nimed
    1086-19447
    1086-19447-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    30ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    JAN1N6073
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 50V 850mA Through Hole A-PAK
  • Dioodide seadistamine
    1µA @ 50V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    2.04V @ 9.4A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    50V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 155°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N6073" seotud tooted.
JAN1N6055A

JAN1N6055A

Kirjeldus: TVS DIODE 40V 64.8V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6101

JAN1N6101

Kirjeldus: TVS DIODE 16CDIP

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6069A

JAN1N6069A

Kirjeldus: TVS DIODE 150V 261V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6061A

JAN1N6061A

Kirjeldus: TVS DIODE 70V 113V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6052A

JAN1N6052A

Kirjeldus: TVS DIODE 30V 49.9V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6074

JAN1N6074

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6077

JAN1N6077

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6075

JAN1N6075

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6057A

JAN1N6057A

Kirjeldus: TVS DIODE 47V 77V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6078

JAN1N6078

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6051A

JAN1N6051A

Kirjeldus: TVS DIODE 28V 45.7V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6081

JAN1N6081

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6047A

JAN1N6047A

Kirjeldus: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6053A

JAN1N6053A

Kirjeldus: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6100

JAN1N6100

Kirjeldus: TVS DIODE 14CFLATPACK

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6072A

JAN1N6072A

Kirjeldus: TVS DIODE 185V 328V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6103

JAN1N6103

Kirjeldus: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6045A

JAN1N6045A

Kirjeldus: TVS DIODE 15V 25.2V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6076

JAN1N6076

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.