Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Vooluahela kaitse > TVS - dioodid > JAN1N6120
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4559527

JAN1N6120

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$15.836
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6120
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TVS DIODE 29.7V 56.28V AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N6120.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - tagurdamine (tüüp)
    29.7V
  • Pinge - kinnitus (max) @ Ipp
    56.28V
  • Pinge - jaotus (min)
    35.25V
  • Tüüp
    Zener
  • Pakkuja seadme pakett
    Axial
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Toiteliini kaitse
    No
  • Võimsus - Peak pulss
    500W
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    B, Axial
  • Muud nimed
    1086-19469
    1086-19469-MIL
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Praegus - Peak pulss (10 / 1000μs)
    8.84A
  • Mahtuvus @ sagedus
    -
  • Kahepoolsed kanalid
    1
  • Taotlused
    General Purpose

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N6120" seotud tooted.
JAN1N6119

JAN1N6119

Kirjeldus: TVS DIODE 27.4V 52.4V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6118AUS

JAN1N6118AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 25.1V 45.7V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6121

JAN1N6121

Kirjeldus: TVS DIODE 32.7V 62.06V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6122AUS

JAN1N6122AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 35.8V 64.6V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6120US

JAN1N6120US

Kirjeldus: TVS DIODE 29.7V 56.28V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6119A

JAN1N6119A

Kirjeldus: TVS DIODE 27.4V 49.9V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6118A

JAN1N6118A

Kirjeldus: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6117US

JAN1N6117US

Kirjeldus: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6122A

JAN1N6122A

Kirjeldus: TVS DIODE 35.8V 64.6V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6120A

JAN1N6120A

Kirjeldus: TVS DIODE 29.7V 53.6V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6119US

JAN1N6119US

Kirjeldus: TVS DIODE 27.4V 52.4V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6120AUS

JAN1N6120AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 29.7V 53.6V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6119AUS

JAN1N6119AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 27.4V 49.9V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6122

JAN1N6122

Kirjeldus: TVS DIODE 35.8V 67.83V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6121US

JAN1N6121US

Kirjeldus: TVS DIODE 32.7V 62.06V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6118US

JAN1N6118US

Kirjeldus: TVS DIODE 25.1V 47.99V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6118

JAN1N6118

Kirjeldus: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6117AUS

JAN1N6117AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6121A

JAN1N6121A

Kirjeldus: TVS DIODE 32.7V 59.1V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.