Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Vooluahela kaitse > TVS - dioodid > JAN1N6126US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4848963

JAN1N6126US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$17.447
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6126US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TVS DIODE 51.7V 101.96V SQ-MELF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N6126US.pdf
  • Pinge - tagurdamine (tüüp)
    51.7V
  • Pinge - kinnitus (max) @ Ipp
    101.96V
  • Pinge - jaotus (min)
    61.37V
  • Tüüp
    Zener
  • Pakkuja seadme pakett
    B, SQ-MELF
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Toiteliini kaitse
    No
  • Võimsus - Peak pulss
    500W
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, B
  • Muud nimed
    1086-19504
    1086-19504-MIL
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Praegus - Peak pulss (10 / 1000μs)
    4.85A
  • Mahtuvus @ sagedus
    -
  • Kahepoolsed kanalid
    1
  • Taotlused
    General Purpose

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N6126US" seotud tooted.
JAN1N6127US

JAN1N6127US

Kirjeldus: TVS DIODE 56V 108.26V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6126

JAN1N6126

Kirjeldus: TVS DIODE 51.7V 101.96V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6128

JAN1N6128

Kirjeldus: TVS DIODE 62.2V 118.44V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6124A

JAN1N6124A

Kirjeldus: TVS DIODE 42.6V 77V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6129

JAN1N6129

Kirjeldus: TVS DIODE 69.2V 131.36V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6127

JAN1N6127

Kirjeldus: TVS DIODE 56V 108.26V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6126A

JAN1N6126A

Kirjeldus: TVS DIODE 51.7VWM BPKG AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6125A

JAN1N6125A

Kirjeldus: TVS DIODE 47.1VWM BPKG AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6126AUS

JAN1N6126AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 51.7V 97.1V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6125US

JAN1N6125US

Kirjeldus: TVS DIODE 47.1V 89.57V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6128AUS

JAN1N6128AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 62.2V 112.8V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6125AUS

JAN1N6125AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 47.1V 85.3V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6128A

JAN1N6128A

Kirjeldus: TVS DIODE 62.2VWM BPKG AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6127A

JAN1N6127A

Kirjeldus: TVS DIODE 56VWM BPKG AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6129A

JAN1N6129A

Kirjeldus: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6125

JAN1N6125

Kirjeldus: TVS DIODE 47.1V 89.57V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6128US

JAN1N6128US

Kirjeldus: TVS DIODE 62.2VWM BPKG SMD

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6127AUS

JAN1N6127AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 56V 103.1V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6124US

JAN1N6124US

Kirjeldus: TVS DIODE 42.6V 80.85V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6124AUS

JAN1N6124AUS

Kirjeldus: TVS DIODE 42.6V 77V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.