Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N647-1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3159737JAN1N647-1 piltMicrosemi

JAN1N647-1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N647-1
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N647-1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 400mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-35
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Muud nimed
    1086-15181
    1086-15181-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    50nA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    400mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N647-1" seotud tooted.
JAN1N6472

JAN1N6472

Kirjeldus: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6468

JAN1N6468

Kirjeldus: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6469

JAN1N6469

Kirjeldus: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6471

JAN1N6471

Kirjeldus: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6470US

JAN1N6470US

Kirjeldus: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6469US

JAN1N6469US

Kirjeldus: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6467

JAN1N6467

Kirjeldus: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6466US

JAN1N6466US

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.5V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Kirjeldus: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6468US

JAN1N6468US

Kirjeldus: TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Kirjeldus: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Kirjeldus: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Kirjeldus: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6465

JAN1N6465

Kirjeldus: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6466

JAN1N6466

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6465US

JAN1N6465US

Kirjeldus: TVS DIODE 24V 41.4V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6470

JAN1N6470

Kirjeldus: TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6467US

JAN1N6467US

Kirjeldus: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.