Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N6622US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1495460

JAN1N6622US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6622US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.2A
  • Pinge - jaotus
    D-5A
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    10pF @ 10V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    SQ-MELF, A
  • Muud nimed
    1086-19963
    1086-19963-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    30ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    JAN1N6622US
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A
  • Dioodide seadistamine
    500nA @ 660V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.4V @ 1.2A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    660V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N6622US" seotud tooted.
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Kirjeldus: TVS DIODE 14CDIP

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Kirjeldus: TVS DIODE 14CDIP

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.