Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > JANSR2N7381
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
60662

JANSR2N7381

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JANSR2N7381
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    JANSR2N7381.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-257
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/614
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    490 mOhm @ 9.4A, 12V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta), 75W (Tc)
  • Pakett / kott
    TO-257-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 12V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    12V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JANSR2N7381" seotud tooted.
JANSR2N5153

JANSR2N5153

Kirjeldus: RH POWER BJT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N7269

JANSR2N7269

Kirjeldus: N CHANNEL MOSFET TO-254

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N7380

JANSR2N7380

Kirjeldus: N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N7262U

JANSR2N7262U

Kirjeldus: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N5152U3

JANSR2N5152U3

Kirjeldus: RH POWER BJT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N7261U

JANSR2N7261U

Kirjeldus: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTX1N1202A

JANTX1N1202A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JANSR2N3810U

JANSR2N3810U

Kirjeldus: RH SMALL-SIGNAL BJT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N7268U

JANSR2N7268U

Kirjeldus: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTX1N1184R

JANTX1N1184R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JANTX1N1190R

JANTX1N1190R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N7269U

JANSR2N7269U

Kirjeldus: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTX1N1190

JANTX1N1190

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANSR2N7389U

JANSR2N7389U

Kirjeldus: P CHANNEL MOSFET LCC-18

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTX1N1202AR

JANTX1N1202AR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JANSR2N7389

JANSR2N7389

Kirjeldus: P CHANNEL MOSFET TO-39

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTX1N1188R

JANTX1N1188R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JANSR2N5153U3

JANSR2N5153U3

Kirjeldus: RH POWER BJT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTX1N1186

JANTX1N1186

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTX1N1186R

JANTX1N1186R

Kirjeldus: SILICON RECTIFIER

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.