Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JANTXV1N5807URS
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2207360

JANTXV1N5807URS

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$28.225
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JANTXV1N5807URS
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JANTXV1N5807URS.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    875mV @ 4A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    50V
  • Pakkuja seadme pakett
    B, SQ-MELF
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    30ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, B
  • Muud nimed
    1086-19440
    1086-19440-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 50V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JANTXV1N5807URS" seotud tooted.
JANTXV1N5802US

JANTXV1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5804US

JANTXV1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5804

JANTXV1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5806US

JANTXV1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5811URS

JANTXV1N5811URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5802URS

JANTXV1N5802URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5804URS

JANTXV1N5804URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5807

JANTXV1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5819-1

JANTXV1N5819-1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

Kirjeldus: SCHOTTKY

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5806URS

JANTXV1N5806URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5802

JANTXV1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5814

JANTXV1N5814

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JANTXV1N5811

JANTXV1N5811

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5809URS

JANTXV1N5809URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JANTXV1N5806

JANTXV1N5806

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.