DA2610100L

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

10000+

$0.05

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

DA2610100L
Tootja / bränd

Panasonic
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD882
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

DA2610100L.pdf
ECAD -mudel
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

1.2V @ 100mA
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

80V
Pakkuja seadme pakett

SOD-882
Kiirus

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

3ns
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

SOD-882
Töötemperatuur - ühenduskoht

150°C (Max)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

13 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount SOD-882
Praegune - tagasikäik @ Vr

100nA @ 80V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

100mA (DC)
Mahtuvus @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Järgnev on "DA2610100L" seotud tooted.

DA25TX00-08

Kirjeldus: DA TWEETER, 25MM. CORUNDUM DOME,

Tootjad: Peerless by Tymphany

Laos

RFQ

DA24F4100L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A TMINIP2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA2710100L

Kirjeldus: DIODE GP 80V 100MA SSSMINI2-F4-B

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA25BG08-06

Kirjeldus: TWEETR 6OHM 100W TOP PORT 91.8DB

Tootjad: Peerless by Tymphany

Laos

RFQ

DA24658-31

Kirjeldus: DSUB DA DEEP STR B/S ROHS

Tootjad: Bel

Laos

RFQ

DA24658-15

Kirjeldus: DSUB DA DEEP STRT B/S 50U G

Tootjad: ITT Cannon, LLC

Laos

RFQ

DA2S10400L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 200MA SSMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA2S10100L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA25BG08-04

Kirjeldus: TWEETR 4OHM 100W TOP PORT 91.9DB

Tootjad: Peerless by Tymphany

Laos

RFQ

DA2J10400L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA25BG08-08

Kirjeldus: TWEETR 8OHM 100W TOP PORT 92.2DB

Tootjad: Peerless by Tymphany

Laos

RFQ

DA2J10700L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 100MA SMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA24658R

Kirjeldus: DSUB JUNCTION SHELL

Tootjad: JAE Electronics, Inc.

Laos

RFQ

DA2S00100L

Kirjeldus: RF DIODE 40V 100MA SSMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA2J10800L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 200MA SMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA2JF2300L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 300MA SMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA2JF8100L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 200MA SMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA2J10100L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2

Tootjad: Panasonic

Laos

RFQ

DA24658-2

Kirjeldus: DSUB DA DEEP STR B/S BRASS

Tootjad: Cannon

Laos

RFQ

DA24658

Kirjeldus: DSUB DA DEEP STR B/S CAD

Tootjad: Cannon

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

DA2610100L

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

DA25TX00-08

DA24F4100L

DA2710100L

DA25BG08-06

DA24658-31

DA24658-15

DA2S10400L

DA2S10100L

DA25BG08-04

DA2J10400L

DA25BG08-08

DA2J10700L

DA24658R

DA2S00100L

DA2J10800L

DA2JF2300L

DA2JF8100L

DA2J10100L

DA24658-2

DA24658

Vali keel

Praegune keel