Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FJ3P02100L
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3224479FJ3P02100L piltPanasonic

FJ3P02100L

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.26
10+
$1.112
100+
$0.879
500+
$0.681
1000+
$0.538
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FJ3P02100L
  • Tootja / bränd
    Panasonic
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FJ3P02100L.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.05V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-PMCP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    -
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    3-SMD, Non-Standard
  • Muud nimed
    FJ3P02100LCT
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    11 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3000pF @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 4.4A (Ta) Surface Mount 3-PMCP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.4A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FJ3P02100L" seotud tooted.
IXFX32N50Q

IXFX32N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDR838P

FDR838P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS2170N7

FDS2170N7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRLU3110ZPBF

IRLU3110ZPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FJ3303010L

FJ3303010L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTD30N02G

NTD30N02G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RJK4514DPK-00#T0

RJK4514DPK-00#T0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
E3M0120090D

E3M0120090D

Kirjeldus: E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC

Tootjad: Cree Wolfspeed
Laos
RFQ
IPI14N03LA

IPI14N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFK170N25X3

IXFK170N25X3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 170A TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
2SK3800VR

2SK3800VR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V TO-220S

Tootjad: Sanken Electric Co., Ltd.
Laos
RFQ
IPL60R385CPAUMA1

IPL60R385CPAUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF3710STRR

IRF3710STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AON6264E

AON6264E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
STP11NM65N

STP11NM65N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SUP60N10-18P-E3

SUP60N10-18P-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.