Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FJ6K01010L
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2675395FJ6K01010L piltPanasonic

FJ6K01010L

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.218
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FJ6K01010L
  • Tootja / bränd
    Panasonic
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FJ6K01010L.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    WSMini6-F1-B
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    700mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-SMD, Flat Leads
  • Muud nimed
    FJ6K01010L-ND
    FJ6K01010LTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    11 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1400pF @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 12V 4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount WSMini6-F1-B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FJ6K01010L" seotud tooted.
IRL640A

IRL640A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMP2078LCA3-7

DMP2078LCA3-7

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 8V 24V X4-DSN1006-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
AUIRFN8405TR

AUIRFN8405TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 187A AUTO

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTB5426NT4G

NTB5426NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ECH8309-TL-H

ECH8309-TL-H

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFP3710PBF

IRFP3710PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDBL0330N80

FDBL0330N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF9530SPBF

IRF9530SPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRLR024TRLPBF

IRLR024TRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDMC15N06

FDMC15N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFS5615TRLPBF

IRFS5615TRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF640STRR

IRF640STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFZ44VZL

IRFZ44VZL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 57A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RJK0651DPB-00#J5

RJK0651DPB-00#J5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
FQP3N80

FQP3N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HRFZ44N

HRFZ44N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFU1010ZPBF

IRFU1010ZPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AOWF20S60

AOWF20S60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO262F

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IXFH30N50P

IXFH30N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.