Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > STGB30M65DF2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6797117STGB30M65DF2 piltSTMicroelectronics

STGB30M65DF2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.10
10+
$3.681
100+
$3.016
500+
$2.567
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    STGB30M65DF2
  • Tootja / bränd
    STMicroelectronics
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 650V 30A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    STGB30M65DF2.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    650V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Testimise tingimus
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    31.6ns/115ns
  • Switching Energy
    300µJ (on), 960µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    D2PAK
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    140ns
  • Võimsus - maks
    258W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    497-15843-1
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    42 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    80nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    120A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    60A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "STGB30M65DF2" seotud tooted.
STGB30NC60WT4

STGB30NC60WT4

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1

Kirjeldus: IGBT 345V 40A 176W I2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB20NC60VT4

STGB20NC60VT4

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30H65FB

STGB30H65FB

Kirjeldus: IGBT

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB3NB60KDT4

STGB3NB60KDT4

Kirjeldus: IGBT 600V 10A 50W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30H60DLLFBAG

STGB30H60DLLFBAG

Kirjeldus: IGBT

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30V60DF

STGB30V60DF

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 258W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB20V60DF

STGB20V60DF

Kirjeldus: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB25N40LZAG

STGB25N40LZAG

Kirjeldus: POWER TRANSISTORS

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB3HF60HD

STGB3HF60HD

Kirjeldus: IGBT 600V 7.5A D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB3NB60SDT4

STGB3NB60SDT4

Kirjeldus: IGBT 600V 6A 70W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB3NB60FDT4

STGB3NB60FDT4

Kirjeldus: IGBT 600V 6A 68W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30H60DF

STGB30H60DF

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 260W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB20V60F

STGB20V60F

Kirjeldus: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB20NC60V

STGB20NC60V

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30H60DFB

STGB30H60DFB

Kirjeldus: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30H60DLFB

STGB30H60DLFB

Kirjeldus: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB35N35LZT4

STGB35N35LZT4

Kirjeldus: IGBT 345V 40A 176W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30NC60KT4

STGB30NC60KT4

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 185W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB30V60F

STGB30V60F

Kirjeldus: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.