1N5553C.TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

500+

$3.835

1000+

$3.234

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5553C.TR
Tootja / bränd

Semtech
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

1N5553C.TR.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

1V @ 3A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

800V
Pakkuja seadme pakett

Axial
Kiirus

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

2µs
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

Axial
Töötemperatuur - ühenduskoht

-
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable
Tootja Standardne pliiaeg

12 Weeks
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 800V 5A Through Hole Axial
Praegune - tagasikäik @ Vr

1µA @ 800V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

5A
Mahtuvus @ Vr, F

92pF @ 5V, 1MHz

Järgnev on "1N5553C.TR" seotud tooted.

1N5551US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5555

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5553

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5553US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 5A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5551C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5553

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5552

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5551

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5554

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5554

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5554C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5552

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5557

Kirjeldus: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5554US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5552C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5556

Kirjeldus: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5554US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5551US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 5A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5553US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5552US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

1N5553C.TR

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

1N5551US

1N5555

1N5553

1N5553US

1N5551C.TR

1N5553

1N5552

1N5551

1N5554

1N5554

1N5554C.TR

1N5552

1N5557

1N5554US

1N5552C.TR

1N5556

1N5554US

1N5551US

1N5553US

1N5552US

Vali keel

Praegune keel