Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RS1DTR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2453918RS1DTR piltSensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

RS1DTR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
120000+
$0.015
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS1DTR
  • Tootja / bränd
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RS1DTR.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.3V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    200V
  • Pakkuja seadme pakett
    SMA
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    150ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    RS1DTRSMC
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SMA
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RS1DTR" seotud tooted.
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.