Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5407GHA0G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
59879391N5407GHA0G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

1N5407GHA0G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.078
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5407GHA0G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N5407GHA0G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    800V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-201AD
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pakend
    Tape & Box (TB)
  • Pakett / kott
    DO-201AD, Axial
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 800V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5407GHA0G" seotud tooted.
1N5407G-T

1N5407G-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N5408

1N5408

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5408-B

1N5408-B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5407TA

1N5407TA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Laos
RFQ
1N5407G

1N5407G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.