Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1T5G A1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1476091

1T5G A1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
21000+
$0.027
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1T5G A1G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1T5G A1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    TS-1
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Box (TB)
  • Pakett / kott
    T-18, Axial
  • Muud nimed
    1T5G A1G-ND
    1T5GA1G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Through Hole TS-1
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "1T5G A1G" seotud tooted.
C3D08065A

C3D08065A

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2

Tootjad: Cree Wolfspeed
Laos
RFQ
STPS5L60

STPS5L60

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
S1A

S1A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RGL41AHE3/96

RGL41AHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
S1GA-E3/61T

S1GA-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SE10PJ-M3/84A

SE10PJ-M3/84A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SS10PH45HM3_A/I

SS10PH45HM3_A/I

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-40EPF10PBF

VS-40EPF10PBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1T5G A0G

1T5G A0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1T5G R0G

1T5G R0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N4003-N-0-4-AP

1N4003-N-0-4-AP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
ES1C M2G

ES1C M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
AU2PGHM3/86A

AU2PGHM3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.6A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
8EWF10STRL

8EWF10STRL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
STTH10R04B-TR

STTH10R04B-TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 10A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
MR851G

MR851G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
U8DT-E3/4W

U8DT-E3/4W

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SBRB1045G

SBRB1045G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FR157G R0G

FR157G R0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
SFAS804GHMNG

SFAS804GHMNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.