Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG21M R3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6060714BYG21M R3G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

BYG21M R3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1800+
$0.095
3600+
$0.086
5400+
$0.081
12600+
$0.074
45000+
$0.069
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG21M R3G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BYG21M R3G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.6V @ 1.5A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    120ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    BYG21M R3GTR
    BYG21M R3GTR-ND
    BYG21MR3GTR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Avalanche
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1.5A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    13pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "BYG21M R3G" seotud tooted.
BYG21M-E3/TR

BYG21M-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21M M2G

BYG21M M2G

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
BYG21K-M3/TR3

BYG21K-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21KHE3_A/I

BYG21KHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG21KHE3/TR3

BYG21KHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21M-E3/TR3

BYG21M-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21M-M3/TR3

BYG21M-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21KHM3/TR

BYG21KHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG21KHE3/TR

BYG21KHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG21KHM3_A/I

BYG21KHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21KHM3_A/H

BYG21KHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21M-M3/TR

BYG21M-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21M/54

BYG21M/54

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.