Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ES1BL M2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
205072ES1BL M2G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ES1BL M2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
15000+
$0.071
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ES1BL M2G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ES1BL M2G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    950mV @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    Sub SMA
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    35ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-219AB
  • Muud nimed
    ES1BL M2G-ND
    ES1BLM2G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    10pF @ 1V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ES1BL M2G" seotud tooted.
ES1B-M3/61T

ES1B-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES1BL RUG

ES1BL RUG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BL R3G

ES1BL R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BHE3/61T

ES1BHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES1BL MQG

ES1BL MQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BL RFG

ES1BL RFG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BL RHG

ES1BL RHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BHM2G

ES1BHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BL MHG

ES1BL MHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BHE3_A/I

ES1BHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES1BL RVG

ES1BL RVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BHE3_A/H

ES1BHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES1BHE3/5AT

ES1BHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES1BE-TP

ES1BE-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
ES1BL RQG

ES1BL RQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1B-TP

ES1B-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Co
Laos
RFQ
ES1BEIGE

ES1BEIGE

Kirjeldus: TB DIN END BRACKET 100PC

Tootjad: B+B SmartWorx, Inc.
Laos
RFQ
ES1BL RTG

ES1BL RTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1BL MTG

ES1BL MTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1B/1

ES1B/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.