Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ES1JLHM2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2386966ES1JLHM2G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ES1JLHM2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
22500+
$0.079
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ES1JLHM2G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ES1JLHM2G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.7V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    Sub SMA
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    35ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-219AB
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "ES1JLHM2G" seotud tooted.
ES1JLHRUG

ES1JLHRUG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL MTG

ES1JL MTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL RQG

ES1JL RQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHMQG

ES1JLHMQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL RVG

ES1JL RVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHRFG

ES1JLHRFG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHRQG

ES1JLHRQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHRVG

ES1JLHRVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHRHG

ES1JLHRHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL RFG

ES1JL RFG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHRTG

ES1JLHRTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHMHG

ES1JLHMHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHMTG

ES1JLHMTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL R3G

ES1JL R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL RHG

ES1JL RHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JLHR3G

ES1JLHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL RTG

ES1JL RTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL RUG

ES1JL RUG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL MQG

ES1JL MQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES1JL MHG

ES1JL MHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.