Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ES3AHR7G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6337862ES3AHR7G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3AHR7G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3400+
$0.159
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ES3AHR7G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ES3AHR7G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    950mV @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    50V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AB (SMC)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    35ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AB, SMC
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    40 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 50V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ES3AHR7G" seotud tooted.
ES3B R7G

ES3B R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3A-E3/9AT

ES3A-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3AB-13-F

ES3AB-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ES3AHE3_A/I

ES3AHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3AHE3/9AT

ES3AHE3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3B-13

ES3B-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ES3B-13-F

ES3B-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ES3A-M3/57T

ES3A-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3AHE3_A/H

ES3AHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3AHM6G

ES3AHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3AHE3/57T

ES3AHE3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3B-E3/9AT

ES3B-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3B M6G

ES3B M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3B

ES3B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ES3B-M3/57T

ES3B-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3B-E3/57T

ES3B-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3A-M3/9AT

ES3A-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3AB-13

ES3AB-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ES3B V6G

ES3B V6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3B V7G

ES3B V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.