Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ES3DV V7G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2052865ES3DV V7G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3DV V7G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1700+
$0.136
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ES3DV V7G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ES3DV V7G.pdf
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    200V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AB (SMC)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    20ns
  • Pakett / kott
    DO-214AB, SMC
  • Muud nimed
    ES3DV V7G-ND
    ES3DVV7G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "ES3DV V7G" seotud tooted.
ES3F V7G

ES3F V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3DPX

ES3DPX

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
ES3F M6G

ES3F M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3DVHR7G

ES3DVHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3F V6G

ES3F V6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3DHE3J_A/I

ES3DHE3J_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3F-E3/9AT

ES3F-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3DV M6G

ES3DV M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3DHE3/9AT

ES3DHE3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3F-M3/57T

ES3F-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3DHR7G

ES3DHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3DHM6G

ES3DHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3DVHM6G

ES3DVHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3DHE3_A/H

ES3DHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3DV R7G

ES3DV R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3F R7G

ES3F R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3F-E3/57T

ES3F-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3DV V6G

ES3DV V6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3F-M3/9AT

ES3F-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.