Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ESH2BA M2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2751343ESH2BA M2G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH2BA M2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
15000+
$0.119
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ESH2BA M2G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ESH2BA M2G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    900mV @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    25ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    ESH2BA M2G-ND
    ESH2BAM2G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ESH2BA M2G" seotud tooted.
ESH228M035AM7AA

ESH228M035AM7AA

Kirjeldus: CAP ALUM 2200UF 20% 35V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH2BHE3_A/H

ESH2BHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2B-M3/52T

ESH2B-M3/52T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2B R5G

ESH2B R5G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH2C-E3/52T

ESH2C-E3/52T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2BA R3G

ESH2BA R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH2B-E3/52T

ESH2B-E3/52T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2BHE3_A/I

ESH2BHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2C-M3/5BT

ESH2C-M3/5BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH228M025AM7AA

ESH228M025AM7AA

Kirjeldus: CAP ALUM 2200UF 20% 25V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH2BHE3/5BT

ESH2BHE3/5BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH228M050AM3AA

ESH228M050AM3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 2200UF 20% 50V T/H

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH2B-M3/5BT

ESH2B-M3/5BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH227M050AH2AA

ESH227M050AH2AA

Kirjeldus: CAP ALUM 220UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH2C-M3/52T

ESH2C-M3/52T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2B-E3/5BT

ESH2B-E3/5BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2C-E3/5BT

ESH2C-E3/5BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH2C R5G

ESH2C R5G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH228M050AN2AA

ESH228M050AN2AA

Kirjeldus: CAP ALUM 2200UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH2BHE3/52T

ESH2BHE3/52T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.