Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ESH3B M6G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
825845ESH3B M6G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3B M6G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
6000+
$0.117
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ESH3B M6G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ESH3B M6G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    900mV @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AB (SMC)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    20ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AB, SMC
  • Muud nimed
    ESH3B M6G-ND
    ESH3BM6G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ESH3B M6G" seotud tooted.
ESH337M035AH1AA

ESH337M035AH1AA

Kirjeldus: CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH3B-E3/57T

ESH3B-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH336M050AE3AA

ESH336M050AE3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 33UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH337M050AH4AA

ESH337M050AH4AA

Kirjeldus: CAP ALUM 330UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH337M016AG3AA

ESH337M016AG3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 330UF 20% 16V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH3B V7G

ESH3B V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH335M050AC3AA

ESH335M050AC3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 3.3UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH3B V6G

ESH3B V6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH336M063AG3AA

ESH336M063AG3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 33UF 20% 63V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH336M035AC3AA

ESH336M035AC3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 33UF 20% 35V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH3BHE3_A/H

ESH3BHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH3B-M3/9AT

ESH3B-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH337M025AG3AA

ESH337M025AG3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 330UF 20% 25V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH3BHE3/9AT

ESH3BHE3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH3B-E3/9AT

ESH3B-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH3B-M3/57T

ESH3B-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH3B R7G

ESH3B R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH3BHE3/57T

ESH3BHE3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ESH336M050AC3AA

ESH336M050AC3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 33UF 20% 50V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
ESH338M010AL3AA

ESH338M010AL3AA

Kirjeldus: CAP ALUM 3300UF 20% 10V RADIAL

Tootjad: KEMET
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.