Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > GPA802HC0G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2559241GPA802HC0G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

GPA802HC0G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
4000+
$0.268
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GPA802HC0G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GPA802HC0G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 8A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AC
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-2
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 8A Through Hole TO-220AC
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    8A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "GPA802HC0G" seotud tooted.
GPA803HC0G

GPA803HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA805-BP

GPA805-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA804 C0G

GPA804 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA804HC0G

GPA804HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA805 C0G

GPA805 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA804-BP

GPA804-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA803-BP

GPA803-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Kirjeldus: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA803 C0G

GPA803 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Kirjeldus: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Tootjad: Bergquist
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.