Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > GPAS1002 MNG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
110495

GPAS1002 MNG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
4000+
$0.274
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GPAS1002 MNG
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GPAS1002 MNG.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 10A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB (D²PAK)
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    GPAS1002 MNG-ND
    GPAS1002MNG
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    10A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GPAS1002 MNG" seotud tooted.
GPA806-BP

GPA806-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPAS1006 MNG

GPAS1006 MNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA806 C0G

GPA806 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA805-BP

GPA805-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA807-BP

GPA807-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPAS1001 MNG

GPAS1001 MNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPAS1003 MNG

GPAS1003 MNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA805DT-TP

GPA805DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA804HC0G

GPA804HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA805HC0G

GPA805HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPAS1004 MNG

GPAS1004 MNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA807HC0G

GPA807HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA806DT-TP

GPA806DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA807DT-TP

GPA807DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPAS1007 MNG

GPAS1007 MNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 10A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA806HC0G

GPA806HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA807 C0G

GPA807 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA805 C0G

GPA805 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPAS1005 MNG

GPAS1005 MNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.