Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > HER307G B0G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5344884HER307G B0G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

HER307G B0G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
4000+
$0.147
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HER307G B0G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    HER307G B0G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.7V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    800V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-201AD
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    75ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    DO-201AD, Axial
  • Muud nimed
    HER307G B0G-ND
    HER307GB0G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 800V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    35pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "HER307G B0G" seotud tooted.
HER307-TP

HER307-TP

Kirjeldus: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
HER308G R0G

HER308G R0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HER306G A0G

HER306G A0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HER307-AP

HER307-AP

Kirjeldus: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
HER307GT-G

HER307GT-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
HER306-AP

HER306-AP

Kirjeldus: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
HER308GA-G

HER308GA-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
HER307GA-G

HER307GA-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
HER308GT-G

HER308GT-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
HER306GT-G

HER306GT-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
HER306G B0G

HER306G B0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HER307G R0G

HER307G R0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HER307G A0G

HER307G A0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HER308G A0G

HER308G A0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HER308-AP

HER308-AP

Kirjeldus: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
HER306G R0G

HER306G R0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HER308-TP

HER308-TP

Kirjeldus: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
HER306-TP

HER306-TP

Kirjeldus: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
HER306GA-G

HER306GA-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
HER308G B0G

HER308G B0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.