Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > LL5817 L0G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3095334

LL5817 L0G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
5000+
$0.141
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    LL5817 L0G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    LL5817 L0G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    750mV @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    20V
  • Pakkuja seadme pakett
    MELF
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-213AB, MELF
  • Muud nimed
    LL5817 L0G-ND
    LL5817L0G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 125°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Schottky
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Schottky 20V 1A Surface Mount MELF
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    500µA @ 20V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    110pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "LL5817 L0G" seotud tooted.
RS2D-13-F

RS2D-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
LSM545JE3

LSM545JE3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
LL5

LL5

Kirjeldus: HEX KEY L-SHAPE 5/64" 3.25"

Tootjad: Klein Tools
Laos
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
15ETX06FP

15ETX06FP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SS3P5HE3/85A

SS3P5HE3/85A

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO220AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
20ETF06STRR

20ETF06STRR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RGP20JHE3/54

RGP20JHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 2A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NRVS1504T3G

NRVS1504T3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HSM590JE3/TR13

HSM590JE3/TR13

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 90V 5A DO214AB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
LL5819 L0G

LL5819 L0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
SB2M-M3/5BT

SB2M-M3/5BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
1N4383GPHE3/54

1N4383GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-80EBU02HF4

VS-80EBU02HF4

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 80A POWERTAB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
LL5818 L0G

LL5818 L0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
HS1DL MQG

HS1DL MQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
SE15PD-M3/84A

SE15PD-M3/84A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO220AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
S8CM-M3/I

S8CM-M3/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FS1D-LTP

FS1D-LTP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.