Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RS1J R3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1947105RS1J R3G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1J R3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.41
10+
$0.292
100+
$0.172
500+
$0.097
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS1J R3G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RS1J R3G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.3V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    600ns
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    RS1J R3GDKR
    RS1J R3GDKR-ND
    RS1JR3GDKR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RS1J R3G" seotud tooted.
RS1GLHRQG

RS1GLHRQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1GLHRUG

RS1GLHRUG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1JB-13-F

RS1JB-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1GLW RVG

RS1GLW RVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1J-13

RS1J-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1J

RS1J

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RS1GQ-13-F

RS1GQ-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1J-E3/5AT

RS1J-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1GTR

RS1GTR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Laos
RFQ
RS1GLWHRVG

RS1GLWHRVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1J-M3/61T

RS1J-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1GLHRTG

RS1GLHRTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1GLHRVG

RS1GLHRVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1JB-13

RS1JB-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1J-M3/5AT

RS1J-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1J M2G

RS1J M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1J-13-F

RS1J-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1J-E3/61T

RS1J-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1JDF-13

RS1JDF-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1J/1

RS1J/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.