Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RS1JHM2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1911735RS1JHM2G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JHM2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
15000+
$0.05
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS1JHM2G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.3V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    250ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Kirjeldus: DIODE

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JFA

RS1JFA

Kirjeldus: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JFP

RS1JFP

Kirjeldus: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Kirjeldus: DIODE

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Kirjeldus: DIODE, FAST, 1A, 600V

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Kirjeldus: DIODE, FAST, 1A, 600V

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi