Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > S12MC R7G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6492548S12MC R7G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

S12MC R7G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.72
10+
$0.628
100+
$0.484
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    S12MC R7G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    S12MC R7G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 12A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AB (SMC)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    DO-214AB, SMC
  • Muud nimed
    S12MC R7GCT
    S12MC R7GCT-ND
    S12MCR7GCT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1000V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    12A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "S12MC R7G" seotud tooted.
S12MC V7G

S12MC V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12MC M6G

S12MC M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12M

S12M

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
S12Q

S12Q

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
S12MR

S12MR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12ME1FY

S12ME1FY

Kirjeldus: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12VR32EVB

S12VR32EVB

Kirjeldus: EVALUATION BOARD FOR S12VR32EVB

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12MD3

S12MD3

Kirjeldus: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
S12KR

S12KR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12MC V6G

S12MC V6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S12QR

S12QR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
S12K

S12K

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.