Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > US1KHM2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6144817US1KHM2G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

US1KHM2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
15000+
$0.066
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    US1KHM2G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    US1KHM2G.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.7V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    800V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    75ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 800V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "US1KHM2G" seotud tooted.
US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1KHE3/61T

US1KHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1KHE3_A/H

US1KHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1M R3G

US1M R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1K-M3/5AT

US1K-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1KHR3G

US1KHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1K-M3/61T

US1K-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1M M2G

US1M M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1K-TP

US1K-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1KSAFS-13

US1KSAFS-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FS

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1KHE3_A/I

US1KHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1KHE3/5AT

US1KHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1M-13

US1M-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1M-13-F

US1M-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1KFA

US1KFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.