Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > TH58NVG5S0FTAK0
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5361966

TH58NVG5S0FTAK0

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
96+
$38.72
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TH58NVG5S0FTAK0
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    25ns
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Pakkuja seadme pakett
    48-TSOP I
  • Seeria
    -
  • Pakett / kott
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    32Gb (4G x 8)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 32Gb (4G x 8) 48-TSOP I
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

Kirjeldus: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Kirjeldus: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Kirjeldus: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

Kirjeldus: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Kirjeldus: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Kirjeldus: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Kirjeldus: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Kirjeldus: 4G SLC NAND BGA 24NM

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Kirjeldus: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH5E106K021A1000

TH5E106K021A1000

Kirjeldus: CAP TANT 10UF 21V 10% 2917

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Kirjeldus: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Kirjeldus: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Kirjeldus: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Tootjad: Toshiba Memory America, Inc.
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi