Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1SS352,H3F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
38695291SS352,H3F piltToshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.19
10+
$0.178
100+
$0.117
500+
$0.057
1000+
$0.039
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1SS352,H3F
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1SS352,H3F.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.2V @ 100mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    80V
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-76-2
  • Kiirus
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    4ns
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SC-76A
  • Muud nimed
    1SS352(TH3FD)CT
    1SS352(TH3FD)CT-ND
    1SS352H3FCT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    125°C (Max)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-76-2
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    500nA @ 80V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    100mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    3pF @ 0V, 1MHz
  • Baasosa number
    1SS352

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Saatmine
Makse
Järgnev on "1SS352,H3F" seotud tooted.
1SS302A,LF

1SS302A,LF

Kirjeldus: DIODE SW 80V 100MA USM SC70

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS351-TB-E

1SS351-TB-E

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
1SS315TPH3F

1SS315TPH3F

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS355-TP

1SS355-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1SS307(TE85L,F)

1SS307(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS356TW11

1SS356TW11

Kirjeldus: DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
1SS355 RRG

1SS355 RRG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1SS306TE85LF

1SS306TE85LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS302TE85LF

1SS302TE85LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS308(TE85L,F

1SS308(TE85L,F

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS361,LJ(CT

1SS361,LJ(CT

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
1SS361FV,L3F(T

1SS361FV,L3F(T

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.