Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid > HN2C01FEYTE85LF
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6310950HN2C01FEYTE85LF piltToshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.43
10+
$0.392
25+
$0.282
100+
$0.22
250+
$0.138
500+
$0.118
1000+
$0.08
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    HN2C01FEYTE85LF
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    HN2C01FEYTE85LF.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Transistori tüüp
    2 NPN (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    ES6
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    100mW
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    SOT-563, SOT-666
  • Muud nimed
    HN2C01FEYTE85LFDKR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    60MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    150mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "HN2C01FEYTE85LF" seotud tooted.
HN2S01FUTE85LF

HN2S01FUTE85LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2D01FTE85LF

HN2D01FTE85LF

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2C01FU-GR(T5L,F)

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2C01FE-GR(T5L,F)

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2A01FE-Y(TE85L,F

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Kirjeldus: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2A01FU-GR(TE85LF

HN2A01FU-GR(TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2D01JE(TE85L,F)

HN2D01JE(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2450520000G

HN2450520000G

Kirjeldus: TERM BLOCK PLUG 24POS STR 5.08MM

Tootjad: Anytek (Amphenol Anytek)
Laos
RFQ
HN2D01FU(TE85L,F)

HN2D01FU(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2A01FU-Y(TE85L,F

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Kirjeldus: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN28-3-AG

HN28-3-AG

Kirjeldus: AC/DC CONVERTER 28V 84W

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
HN2A01FE-GR(TE85LF

HN2A01FE-GR(TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN28-3-A+

HN28-3-A+

Kirjeldus: AC/DC CONVERTER 28V 84W

Tootjad: Ault / SL Power
Laos
RFQ
HN2D02FUTW1T1

HN2D02FUTW1T1

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HN2C01FU-Y(TE85L,F

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Kirjeldus: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN28-3-A+G

HN28-3-A+G

Kirjeldus: AC/DC CONVERTER 28V 84W

Tootjad: Ault / SL Power
Laos
RFQ
HN2D02FUTW1T1G

HN2D02FUTW1T1G

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
HN2S02JE(TE85L,F)

HN2S02JE(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN2D03F(TE85L,F)

HN2D03F(TE85L,F)

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
HN24505000J0G

HN24505000J0G

Kirjeldus: TERM BLOCK PLUG 24POS STR 5.08MM

Tootjad: Amphenol FCI
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.