Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN1106MFV(TL3,T)

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

1637621

RN1106MFV(TL3,T) pilt

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RN1106MFV(TL3,T)
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

RN1106MFV(TL3,T).pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistori tüüp

NPN - Pre-Biased
Pakkuja seadme pakett

VESM
Seeria

-
Takisti - emitteri alus (R2)

47 kOhms
Takisti - alus (R1)

4.7 kOhms
Võimsus - maks

150mW
Pakend

Cut Tape (CT)
Pakett / kott

SOT-723
Muud nimed

RN1106MFV(TL3T)CT
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Täpsem kirjeldus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Praegune - koguja piiramine (max)

500nA
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

100mA

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "RN1106MFV(TL3,T)" seotud tooted.

RN1107,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1106,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1109,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1105,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1106CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1105MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1104MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1104CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1108CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1104T5LFT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1106MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1105CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1107CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.