Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN1111MFV,L3F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4384414

RN1111MFV,L3F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
8000+
$0.029
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN1111MFV,L3F
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN1111MFV,L3F.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    NPN - Pre-Biased
  • Pakkuja seadme pakett
    VESM
  • Seeria
    -
  • Takisti - alus (R1)
    10 kOhms
  • Võimsus - maks
    150mW
  • Pakett / kott
    SOT-723
  • Muud nimed
    RN1111MFVL3F
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN1111MFV,L3F" seotud tooted.
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1111CT(TPL3)

RN1111CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1110CT(TPL3)

RN1110CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.