Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN1119MFV,L3F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
748816

RN1119MFV,L3F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
8000+
$0.029
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN1119MFV,L3F
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN1119MFV,L3F.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    NPN - Pre-Biased
  • Pakkuja seadme pakett
    VESM
  • Seeria
    -
  • Takisti - alus (R1)
    1 kOhms
  • Võimsus - maks
    150mW
  • Pakett / kott
    SOT-723
  • Muud nimed
    RN1119MFVL3F
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN1119MFV,L3F" seotud tooted.
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

Kirjeldus: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Kirjeldus: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Kirjeldus: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN112-0.6-02

RN112-0.6-02

Kirjeldus: CMC 15MH 600MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN112-0.6-02-15M

RN112-0.6-02-15M

Kirjeldus: CMC 15MH 600MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN112-0.5-02-27M

RN112-0.5-02-27M

Kirjeldus: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN111PC

RN111PC

Kirjeldus: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Tootjad: Conxall / Switchcraft
Laos
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Kirjeldus: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN112-0.5-02-18M

RN112-0.5-02-18M

Kirjeldus: CMC 18MH 500MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

Kirjeldus: CMC 15MH 500MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.
Laos
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.