Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN1422TE85LF

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2762541

RN1422TE85LF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.095

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RN1422TE85LF
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

RN1422TE85LF.pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 50mA
Transistori tüüp

NPN - Pre-Biased
Pakkuja seadme pakett

S-Mini
Seeria

-
Takisti - emitteri alus (R2)

2.2 kOhms
Takisti - alus (R1)

2.2 kOhms
Võimsus - maks

200mW
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muud nimed

RN1422(TE85L,F)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

11 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sagedus - üleminek

300MHz
Täpsem kirjeldus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 100mA, 1V
Praegune - koguja piiramine (max)

500nA
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

800mA
Baasosa number

RN142*

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "RN1422TE85LF" seotud tooted.

RN142-1.4-02

Kirjeldus: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN142-2-02-6M8

Kirjeldus: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN142-1-02-33M

Kirjeldus: CMC 33MH 1A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN142GT2R

Kirjeldus: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RN142-2-02

Kirjeldus: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN142-6-02-1M8

Kirjeldus: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN142-6-02

Kirjeldus: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN142VTE-17

Kirjeldus: DIODE PIN 60V UMD

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN142STE61

Kirjeldus: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Kirjeldus: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN142-4-02

Kirjeldus: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN142-4-02-3M3

Kirjeldus: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN142ZS12ATE61

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RN142ZS8ATE61

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.