Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN2110ACT(TPL3)
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5469862RN2110ACT(TPL3) piltToshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.052
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN2110ACT(TPL3)
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    PNP - Pre-Biased
  • Pakkuja seadme pakett
    CST3
  • Seeria
    -
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms
  • Võimsus - maks
    100mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-101, SOT-883
  • Muud nimed
    RN2110ACT(TPL3)TR
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    80mA
RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2107CT(TPL3)

RN2107CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2110,LF(CB

RN2110,LF(CB

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Kirjeldus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi