Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > RN2312(TE85L,F)

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

866192

RN2312(TE85L,F) pilt

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.048

6000+

$0.042

15000+

$0.036

30000+

$0.034

75000+

$0.032

150000+

$0.028

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RN2312(TE85L,F)
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

RN2312(TE85L,F).pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistori tüüp

PNP - Pre-Biased
Pakkuja seadme pakett

USM
Seeria

-
Takisti - alus (R1)

22 kOhms
Võimsus - maks

100mW
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

SC-70, SOT-323
Muud nimed

RN2312(TE85LF)
RN2312(TE85LF)-ND
RN2312(TE85LF)TR
RN2312TE85LF
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

16 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sagedus - üleminek

200MHz
Täpsem kirjeldus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Praegune - koguja piiramine (max)

100nA (ICBO)
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

100mA
Baasosa number

RN231*

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "RN2312(TE85L,F)" seotud tooted.

RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2306,LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN232-0.6-02-47M

RN232-0.6-02-47M

Kirjeldus: CMC 47MH 600MA 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN232-1-02-18M

Kirjeldus: CMC 18MH 1A 2LN TH

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN232-0.6-02

Kirjeldus: COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2304(TE85L,F)

RN2304(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN232-1-02

Kirjeldus: COMMON MODE CHOKE 18MH 1A

Tootjad: Schaffner EMC, Inc.

Laos

RN2317(TE85L,F)

RN2317(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2315TE85LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2310,LF

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2316(TE85L,F)

RN2316(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2305(TE85L,F)

RN2305(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2318(TE85L,F)

RN2318(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.